[发明专利]碳化硅欧姆接触结构的形成方法及MOS晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅欧姆接触结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供表面具有碳化硅层的半导体结构；

在所述碳化硅层注入重离子，使表面形成非晶层；

然后在所述非晶层的表面沉积金属层；

进行退火处理，退火温度为400～1000℃。

其中，所述重离子为质量数大于等于硅的元素离子，所述注入重离子的条件为：能量1keV-1 MeV，剂量1e14cm^-2-1e17 cm^-2。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述重离子包括Si、Ge、Sn、As、Ga、In、P、Te、Bi中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述非晶层的厚度达到2～200nm。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述金属层采用Ni、Pt、镍铂合金、Co、Ti、W、Ru、Cu、钴钛合金、氮化钛中的一种或者多种层堆叠；

所述镍铂合金中铂含量优选为5wt.％～30wt.％，所述钴钛合金中钛含量优选为5wt.％～430wt.％。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述退火的方式为尖峰退火、激光退火或微波退火。

6.一种MOS场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供表面具有碳化硅层的半导体结构，并且在所述碳化硅层划分出源极区域和漏极区域；

对所述源极区域和/或所述漏极区域进行以下处理：

向区域内的碳化硅层注入重离子，使表面形成非晶层；其中，所述重离子为质量数大于等于硅的元素离子，所述注入重离子的条件为：能量1keV-1 MeV，剂量1e14cm^-2-1e17cm^-2；

继续注入N型或P型掺杂离子；

之后在所述非晶层的表面沉积金属层；

最后进行退火处理，退火温度为400～1000℃。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述退火之后还包括：金属互连工序。

8.一种MOS场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供表面具有碳化硅层的半导体结构，并且在所述碳化硅层划分出源极区域和漏极区域；

对所述源极区域和/或所述漏极区域进行以下处理：

向区域内的所述碳化硅层注入重离子，使表面形成非晶层；其中，所述重离子为质量数大于等于硅的元素离子，所述注入重离子的条件为：能量1keV-1MeV，剂量1e14cm^-2-1e17cm^-2；

之后在所述非晶层的表面沉积金属层；

然后进行退火处理，退火温度为400～1000℃。

继续注入N型或P型掺杂离子；

最后进行二次退火。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述二次退火的温度为400～1000℃。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述二次退火之后还包括：金属互连工序。