[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110258905.9 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113158609A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 邱德馨;彭士玮;曾健庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 生成布局图的方法包括：选择从相应的VG图案到对应的切割栅极部分的第一距离等于或大于第一参考值的栅极图案；并且对于每个选择的栅极图案，将相应的切割栅极部分的尺寸从第一值增大到第二值；第二值产生相应的栅极图案的相应的残余部分的第一类型的悬垂；并且第一类型的悬垂是超出相应的第一最近有源区图案或第二最近有源区图案的相应的残余部分的最小允许量的悬垂。结果是栅极图案的残余部分的相应端部之间的间隙扩大。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110258905.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种大尺寸柔性玻璃的制备方法
- 下一篇：一种聚酰亚胺的制备方法
