[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件的相应的布局图存储在非暂时性计算机可读介质上，所述布局图布置成在第一方向上延伸并且相应地填充有单元的行，所述布局图包括有源区图案、栅极图案、通孔至栅极(VG)图案和切割栅极图案，所述有源区图案和所述切割栅极图案在所述第一方向上延伸，所述栅极图案在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，每个所述通孔至栅极图案位于相应的一个所述栅极图案上面，所述切割栅极图案位于相应的行边界上面，每个所述切割栅极图案在所述第一方向上组织为部分，即切割栅极部分，每个所述切割栅极部分在所述第一方向上延伸并且相对于所述第一方向跨过相应的一个所述栅极图案，每个所述切割栅极部分指示相应的栅极图案的任何下面的部分被指定用于去除，所述方法包括生成所述布局图，生成所述布局图包括：

相对于所述第二方向，

在所述栅极图案中选择从相应的通孔至栅极图案到相应的切割栅极部分的第一距离等于或大于第一参考值的栅极图案；并且

对于每个选择的栅极图案，相对于在相应行边界处邻接的相应的第一单元和第二单元，并且还相对于相应地位于所述第一单元和所述第二单元中并且最靠近相应的所述行边界的第一有源区图案和第二有源区图案，即第一最近有源区图案和第二最近有源区图案，并且

相对于所述第二方向，从相应的所述行边界测量相应的所述切割栅极部分的尺寸，

将相应的所述切割栅极部分的尺寸从第一值增大到第二值；

所述第二值产生相应的所述栅极图案的相应的残余部分的第一类型的悬垂；并且

所述第一类型的悬垂是超出相应的所述第一最近有源区图案或所述第二最近有源区图案的相应的所述残余部分的最小允许量的悬垂。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

基于所述布局图，进行以下至少之一：

(A)进行一个或多个光刻曝光；

(B)制造一个或多个半导体掩模；或

(C)在半导体集成电路的层中制造至少一个组件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

相对于所述第二方向，

所述第一值产生相应的所述栅极图案的第二类型的悬垂，并且

所述第二类型的悬垂是超出相应的最近有源区图案的相应的所述栅极图案的最小允许量的悬垂。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

相对于所述第二方向：

所述第一值产生所述切割栅极部分与所述第一最近有源区图案和所述第二最近有源区图案中的相应一个之间的第一间隙；

所述第二值产生所述切割栅极部分与所述第一最近有源区图案和所述第二最近有源区图案中的相应一个之间的第二间隙；并且

所述第一间隙的尺寸为所述第二间隙的尺寸的5/9。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

相对于所述第二方向，每个单元的高度为CH；并且

如从相应的所述行边界测量的，

所述第二值为0.05*CH。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

如从相应的所述行边界测量的，

所述第一值为0.1*CH。