[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110249319.8 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN115050639A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 杨军伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有栅极结构；在栅极结构的侧壁形成侧墙，侧墙包括覆盖栅极结构侧壁的第一侧墙层、覆盖第一侧墙层侧壁的牺牲层、以及覆盖牺牲层侧壁的第二侧墙层，其中，牺牲层通过低温原子层沉积工艺形成，低温原子层沉积工艺的工艺温度小于或等于90℃；去除牺牲层，形成空气间隙，空气间隙用于作为空气隙侧墙。通过低温原子层沉积的方法形成牺牲层，则能够形成类似孔状结构的疏松薄膜，有利于在去除牺牲层的过程中，提高去除的速率，进而提高了牺牲层和侧墙中其他膜层的去除选择比，减少对侧墙中其他膜层的损伤，从而降低去除牺牲层的工艺引起栅极结构损伤问题的概率，有利于提高半导体结构的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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