[发明专利]三维存储器的制备方法有效
| 申请号： | 202110245220.0 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113035700B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 刘力恒;长江;徐伟;许波 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种制备三维存储器的方法，该方法包括：在衬底的一侧上交替堆叠牺牲层与电介质层以形成叠层结构；形成贯穿所述叠层结构并延伸至衬底中的栅极线隙；去除牺牲层以形成栅极间隙；在栅极线隙的内壁与栅极间隙的内壁上形成沉积层；以及交替执行干法刻蚀处理和湿法刻蚀处理以去除沉积层的至少一部分，以在栅极间隙处形成具有目标深度的凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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