[发明专利]三维存储器的制备方法

权利要求书

1.一种制备三维存储器的方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底的一侧上交替堆叠牺牲层与电介质层以形成叠层结构；

形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底中的栅极线隙；

去除所述牺牲层以形成栅极间隙；

在所述栅极线隙的内壁与所述栅极间隙的内壁上形成沉积层；以及

交替执行干法刻蚀处理和湿法刻蚀处理以去除所述沉积层的至少一部分，以在所述栅极间隙处形成具有目标深度的凹槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，交替执行干法刻蚀处理和湿法刻蚀处理包括：

对所述沉积层依次执行第一干法刻蚀处理、第二湿法刻蚀处理和第三干法刻蚀处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述沉积层至少包括阻挡层以及在所述阻挡层上形成的金属层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一干法刻蚀处理包括：

通过干法刻蚀去除所述金属层位于所述栅极线隙的底部上的至少一部分，以使得所述金属层位于所述底部上的剩余部分的厚度与位于所述栅极线隙的侧壁上的部分的厚度相同。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二湿法刻蚀处理包括：

通过湿法刻蚀去除所述金属层位于所述栅极线隙的侧壁的部分以及位于所述底部上的剩余部分；以及

通过湿法刻蚀去除所述金属层位于所述栅极间隙的内壁上的至少一部分，以形成所述具有目标深度的凹槽。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第三干法刻蚀处理包括：

通过干法刻蚀去除所述阻挡层位于所述栅极线隙的底部上的部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，交替执行干法刻蚀处理和湿法刻蚀处理包括：

对所述沉积层依次执行第一湿法刻蚀处理、第二干法刻蚀处理、以及第三湿法刻蚀处理。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述沉积层至少包括阻挡层以及在所述阻挡层上形成的金属层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一湿法刻蚀处理包括：

通过湿法刻蚀去除所述金属层位于所述栅极线隙的位于底部选择栅极层上方的部分和位于所述栅极线隙的位于底部选择栅极层下方的侧壁以及底部上的至少一部分，以及

通过湿法刻蚀去除所述金属层位于所述栅极间隙的内壁上的至少一部分。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，进行所述第二干法刻蚀处理包括：

通过干法刻蚀去除所述金属层位于所述栅极线隙的底部上的剩余部分和所述阻挡层位于所述栅极线隙的底部上的部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，进行所述第三湿法刻蚀处理包括：

通过湿法刻蚀去除所述金属层位于所述栅极线隙的侧壁上的剩余部分，以及

通过湿法刻蚀去除所述金属层位于所述栅极间隙的内壁上的至少一部分，以形成所述具有目标深度的凹槽。

12.根据权利要求3或8所述的方法，其中，所述金属层包括钨。

13.根据权利要求3或8所述的方法，其中，所述阻挡层包括高介电常数材料。