[发明专利]电介质特征的形成后修补在审
| 申请号： | 202110241924.0 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113270485A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 高琬贻;林洪正;张哲豪;卢永诚;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及电介质特征的形成后修补。具体地，本公开提供了半导体结构及其形成方法的实施方式。示例性半导体结构包括第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征以及设置在所述第一源极/漏极特征和所述第二源极/漏极特征之间并沿第一方向纵向延伸的混合鳍。所述混合鳍包括内部特征和围绕所述内部特征设置的外层。所述外层包含氧碳氮化硅，并且所述内部特征包含碳氮化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 特征 形成 修补 | ||
【主权项】：
暂无信息
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