[发明专利]一种高散热型半导体器件结构在审
| 申请号： | 202110232532.8 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113066777A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 陈力 | 申请（专利权）人： | 福建福顺半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/29;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 350000 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高散热型半导体器件结构，包括胶体，胶体包括第一胶体和第二胶体，第一胶体设置在第二胶体的顶侧，所述第一胶体的厚度小于所述第二胶体，所述第一胶体和所述第二胶体为一体式结构；引线框架，所述引线框架包括散热片和管脚，所述散热片和管脚采用不同厚度设计，所述散热片位于所述胶体内，所述管脚的顶端延伸至所述第二胶体内并与所述散热片相连接，所述散热片的厚度为1.3mm。本发明提供的高散热型半导体器件结构，采用新型的异性材设计引线框架，使基岛框架散热片厚度增加至1.3mm厚度大大增加了绝缘型的MOS管内部散热效果，塑封过程产生的顶针孔洞也利用点胶填充装置进行全覆盖填充，为更大电压、更高功率的半导体封装提供封装可行性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 散热 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
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