[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110230667.0 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113539819A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 林侑立;廖志腾;谢瑞夫;郑志玄;翁子展 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法包括：形成在衬底上方突出的鳍；在鳍上方形成栅极层；以及使用等离子蚀刻工艺来在等离子蚀刻工具中对栅极层进行图案化以在鳍上方形成栅极，其中，对栅极层进行图案化包括：在等离子蚀刻工艺期间交替地接通和关断等离子蚀刻工具的顶部射频(RF)源；以及在等离子蚀刻工艺期间交替地接通和关断等离子蚀刻工具的底部RF源，其中，在接通顶部RF源的第一时刻与接通底部RF源的相应第二时刻之间存在时序偏移。本发明的实施例还涉及一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
