[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202110207971.3 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114975614A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 江怀慈;林胜豪;詹逸群 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一氮化镓层，一氮化铝镓层设置于氮化镓层上，一栅极设置于氮化铝镓层上，栅极包含一P型氮化镓层和一萧基接触层，其中P型氮化镓层接触萧基接触层，并且P型氮化镓层的上表面完全重叠萧基接触层的下表面，一保护层覆盖氮化铝镓层和栅极，一源极电极设置于栅极的一侧、穿透保护层并且接触氮化铝镓层，一漏极电极设置于栅极的另一侧、穿透保护层并且接触氮化铝镓层以及一栅极电极设置于栅极的正上方、穿透保护层并且接触萧基接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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