[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：

氮化镓层；

氮化铝镓层，设置于该氮化镓层上；

栅极，设置于该氮化铝镓层上，该栅极包含P型氮化镓层和萧基接触(schottkycontact)层，其中该P型氮化镓层接触该萧基接触层，并且该P型氮化镓层的上表面完全重叠该萧基接触层的下表面；

保护层，覆盖该氮化铝镓层和该栅极；

源极电极，设置于该栅极的一侧、穿透该保护层并且接触该氮化铝镓层；

漏极电极，设置于该栅极的另一侧、穿透该保护层并且接触该氮化铝镓层；以及

栅极电极，设置于该栅极的正上方、穿透该保护层并且接触该萧基接触层。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该萧基接触层包含功函数小于该P型氮化镓层的金属、功函数小于该P型氮化镓层的金属化合物或功函数小于该P型氮化镓层的合金。

3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该萧基接触层的功函数小于6.1电子伏特(eV)。

4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该萧基接触层包含TiN、TiW、TaN、Al、Ti、Mo、Au、W、Ni、Pd、Ta、Re、Ru、Pt或Co。

5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该萧基接触层的厚度大于50埃。

6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该萧基接触层和该P型氮化镓层接触的表面具有第一宽度，该栅极电极和该萧基接触层接触的表面具有第二宽度，该第二宽度小于该第一宽度。

7.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该栅极电极包含Al、Cu或Ti，该源极电极和该漏极电极各自包含Al、Cu、Ti或TiN。

8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该保护层包含氮化硅或氧化铝。

9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该保护层覆盖部分的该栅极的上表面。

10.一种高电子迁移率晶体管的制作方法，包含：

依序形成氮化镓层、氮化铝镓层、P型氮化镓层和萧基接触层，其中该萧基接触层接触该P型氮化镓层；

进行蚀刻制作工艺以该氮化铝镓层为停止层，蚀刻该萧基接触层和该P型氮化镓层以形成栅极，其中该P型氮化镓层接触该萧基接触层，并且该P型氮化镓层的上表面完全重叠该萧基接触层的下表面；

形成保护层，覆盖该栅极和该氮化铝镓层；

蚀刻该保护层以在该保护层中形成两个第一接触孔，位于该栅极两侧；

形成源极电极和漏极电极，分别位于各该第一接触孔中；

在形成该源极电极和该漏极电极之后，蚀刻该保护层以在该保护层中形成第二接触孔位于该栅极正上方；以及

形成栅极电极位于该第二接触孔中并且接触该萧基接触层。

11.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中该萧基接触层包含功函数小于该P型氮化镓层的金属、功函数小于该P型氮化镓层的金属化合物或功函数小于该P型氮化镓层的合金。

12.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中该萧基接触层的功函数小于6.1电子伏特(eV)。

13.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中该萧基接触层包含TiN、TiW、Ta N、Al、Ti、Mo、Au、W、Ni、Pd、Ta、Re、Ru、Pt或Co。

14.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中该萧基接触层的厚度大于50埃。