[发明专利]一种无隧穿氧化层的纳米线型突触晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110205069.8 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113013257A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 黎明;李小康;涂坤;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无隧穿氧化层的纳米线型突触晶体管及其制备方法，属于面向神经形态计算应用的突触器件领域。所述无隧穿氧化层的纳米线型突触晶体管采用氮化硅和氧化铪双俘获层的设计，使得该电荷俘获型突触器件既可以模拟长时程的突触可塑性，又可以模拟短时程的突触可塑性，从而极大地丰富了突触晶体管的功能。此外通过改变编程方式，即通过一次编程，而后改变电荷俘获位置而不是电荷俘获量的方式，以及无隧穿氧化层和高k/金属栅组合，降低突触器件的操作电压。这种具备低压操作优势和可以模拟多功能突触可塑性的基于电荷俘获机制的突触晶体管有望应用到未来大规模人工神经网络中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无隧穿 氧化 纳米 线型 突触 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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