[发明专利]碳化硅器件外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110202787.X | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN112993017B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 徐少东;蔡文必;于旺;柴亚玲;陶永洪 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 张江陵 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种碳化硅器件外延结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该方法包括：在衬底上生长碳化硅外延层；在碳化硅外延层上沉积第一阻挡层；刻蚀第一阻挡层以形成露出碳化硅外延层的第一窗口，通过第一窗口注入N型离子以在碳化硅外延层内形成N型离子注入区；在第一阻挡层上和第一窗口内生长连续的第二阻挡层，第二阻挡层在第一窗口内围合形成第二窗口；刻蚀第二阻挡层以露出位于第二窗口处的N型离子注入区，并保留位于第一窗口侧壁的第二阻挡层以形成侧墙结构；通过离子注入在N型离子注入区内形成P型离子注入区，P型离子注入区在碳化硅外延层的注入深度大于N型离子注入区在碳化硅外延层的注入深度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 器件 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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