[发明专利]具有不同图形密度端的图形结构的OPC修正方法在审
申请号: | 202110196464.4 | 申请日: | 2021-02-22 |
公开(公告)号: | CN112987487A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 汪悦;王飞舟;张月雨 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有不同图形密度端的图形结构的OPC修正方法,包括:步骤一、找出版图上具有不同图形密度端的图形结构,图形结构具有第一密集端和孤立端。步骤二、对图形结构的图形进行改变使图形结构的孤立端改变为第二密集端。步骤三、添加切割层图形,切割层图形用于将第二密集端中位于孤立端之外的添加图形切除。步骤四、分别对完成步骤二的图形结构和对切割层图形进行OPC修正。本发明能降低具有不同图形密度端的图形结构的图形尺寸控制难度并从而提高各图形尺寸的一致性。 | ||
搜索关键词: | 具有 不同 图形 密度 结构 opc 修正 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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