[发明专利]一种半导体晶片预见式抛光方法在审
申请号: | 202110178344.1 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN112872919A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 姜黎平 | 申请(专利权)人: | 姜黎平 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 044200 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体晶片预见式抛光方法,属于半导体技术领域,本发明可以通过利用粉末状的高磁导率材料平铺半导体晶片上,并施加磁场迫使其自主分布形成磁场屏蔽层,但是在半导体晶片上的凸起和凹陷区域由于高磁导率材料的难以完全覆盖,从而形成多点通磁区域,此时通过预见盘对半导体晶片进行检测,利用通磁区域对预见球的磁吸作用,迫使其在凸起和凹陷区域受到吸力,然后触发变形挤压动作,释放出预先准备好的彩色颜料对凸起和凹陷区域进行标记,从而提前预见到半导体晶片的缺陷区域,方便技术人员后续对该部分区域进行重点抛光,不仅可以提高抛光效率,同时利用彩色颜料的释放量可以大致判断出缺陷尺寸,从而针对性的提高抛光质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 晶片 预见 抛光 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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