[发明专利]一种半导体晶片预见式抛光方法

权利要求书

1.一种半导体晶片预见式抛光方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、取半导体晶片置于浸洗罐内，然后密封抽真空，并注入盐酸溶液直至浸没半导体晶片；

S2、浸洗10-20min后取出，用去离子水冲洗3-5遍，并置于40-50℃的真空环境内通入氮气进行干燥；

S3、取干燥后的半导体晶片平放于工作台上，然后向半导体晶片均匀撒料并静置分布；

S4、待半导体晶片上无任何动作后在其下方施加磁场，并通过预见盘对半导体晶片表面的粗糙区域进行检测标记；

S5、根据半导体晶片上的标记区域进行重点抛光，抛光结束后去除杂物检测抛光质量。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶片预见式抛光方法，其特征在于：所述步骤S1中盐酸溶液的浓度为15-20％。

3.根据权利要求1所述的一种半导体晶片预见式抛光方法，其特征在于：所述步骤S3中撒料的原料为粉末状的高磁导率材料，且高磁导率材料的最小粒径小于5μm。

4.根据权利要求1所述的一种半导体晶片预见式抛光方法，其特征在于：所述预见盘包括定位盘(1)、多个复位拉线(2)以及多个预见球(3)，且预见球(3)通过复位拉线(2)均匀连接于定位盘(1)下端。

5.根据权利要求4所述的一种半导体晶片预见式抛光方法，其特征在于：所述预见球(3)包括基础球体(31)、压移弧块(32)以及相变柱套(33)，且相变柱套(33)镶嵌连接于所述基础球体(31)下端开设有迁移孔，且相变柱套(33)插设于迁移槽内并与压移弧块(32)连接，所述基础球体(31)与压移弧块(32)之间留设有间隙。

6.根据权利要求5所述的一种半导体晶片预见式抛光方法，其特征在于：所述基础球体(31)远离压移弧块(32)一端开设有与迁移孔连通的变径槽，所述变径槽内活动镶嵌有触动磁球(4)，所述触动磁球(4)与变径槽之间连接有多根均匀分布的弹性拉丝(5)，所述变径槽底端连接有储液块(6)，所述变径槽底端还镶嵌连接有触发球(9)，所述触发球(9)靠近压移弧块(32)一端套接有输液管(8)，且输液管(8)贯穿相变柱套(33)延伸至压移弧块(32)上，所述压移弧块(32)上开设有与输液管(8)相匹配的容纳孔。

7.根据权利要求6所述的一种半导体晶片预见式抛光方法，其特征在于：所述相变柱套(33)内填充有磁流变液，所述基础球体(31)与压移弧块(32)之间连接有弹性隔离环片(7)。

8.根据权利要求6所述的一种半导体晶片预见式抛光方法，其特征在于：所述触发球(9)包括挤压球体(91)、防漏环(92)以及多个力变丝(93)，所述防漏环(92)镶嵌连接于挤压球体(91)下端，所述力变丝(93)连接于挤压球体(91)与输液管(8)之间。

9.根据权利要求6所述的一种半导体晶片预见式抛光方法，其特征在于：所述储液块(6)采用弹性吸水材料制成，且储液块(6)内吸收有彩色颜料。

10.根据权利要求1所述的一种半导体晶片预见式抛光方法，其特征在于：所述步骤S4中施加磁场后采用吹风的形式吹走多余的料，然后再进行检测标记。