[发明专利]一种半导体晶片预见式抛光方法

说明书

本发明公开了一种半导体晶片预见式抛光方法，属于半导体技术领域，本发明可以通过利用粉末状的高磁导率材料平铺半导体晶片上，并施加磁场迫使其自主分布形成磁场屏蔽层，但是在半导体晶片上的凸起和凹陷区域由于高磁导率材料的难以完全覆盖，从而形成多点通磁区域，此时通过预见盘对半导体晶片进行检测，利用通磁区域对预见球的磁吸作用，迫使其在凸起和凹陷区域受到吸力，然后触发变形挤压动作，释放出预先准备好的彩色颜料对凸起和凹陷区域进行标记，从而提前预见到半导体晶片的缺陷区域，方便技术人员后续对该部分区域进行重点抛光，不仅可以提高抛光效率，同时利用彩色颜料的释放量可以大致判断出缺陷尺寸，从而针对性的提高抛光质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种半导体晶片预见式抛光方法。

背景技术

半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm-1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料，半导体电导率随温度的升高而升高，这与金属导体恰好相反。

凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构,所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗(Ge)放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度的锗开始的。采用元素半导体硅(Si)以后，不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。

晶片是LED最主要的原物料之一，是LED的发光部件，LED最核心的部分，晶片的好坏将直接决定LED的性能，晶片是由是由III和V族复合半导体物质构成，在LED封装时，晶片来料呈整齐排列在晶片膜上。半导体材料晶片的抛光是利用化学抛光、机械抛光或化学机械抛光去除晶片表面的机械损伤层并呈镜面的半导体晶片加工的重要工序，化学抛光是利用化学非选择性腐蚀达到表面抛光的目的，晶片表面残留的机械损伤层少，但表面状态和几何尺寸的精度较差，机械抛光是靠机械摩擦达到表面抛光目的，易于得到光亮如镜的晶片表面，晶片几何尺寸精度较高，但残留的机械损伤层的深度受抛光种类、粒度粗细的影响，化学机械抛光是使晶片表面与抛光料发生化学反应，生成水溶性化合物，并通过受控的机械摩擦把化学反应物擦去，以达到抛光的目的，二氧化硅胶体碱性化学机械抛光是用于硅单晶片表面抛光的最常用方法，采用该方法可以获得光亮如镜的表面，目前，半导体晶片的抛光尺寸一般只有几μm，抛光过程中单凭肉眼很难分辨出抛光尺寸是否合格，从而使得许多晶片的厚度存在着较大的误差，影响着晶片的后期加工以及使用。

发明内容

1.要解决的技术问题