[发明专利]一种生长高质量SiC单晶的装置及生长方法在审
| 申请号： | 202110177439.1 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112981531A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 赵丽丽 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 赵君 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种生长高质量SiC单晶的装置及生长方法，它属于碳化硅晶体生长技术领域。本发明要解决的是SiC单晶有瑕疵的问题。本发明装置包括坩埚主体，所述的坩埚主体外侧设置有保温层，坩埚主体的坩埚上盖粘贴籽晶，坩埚主体的中部设置有上层石墨板，坩埚主体的下部设置有下层石墨板，坩埚主体的底部装有硅粉，保温层的外侧设置有石英管，石英管外侧上部环绕上部感应线圈，石英管外侧中部环绕中部感应线圈，石英管外侧下部环绕下部感应线圈。生长原料由纯度不低于10ppm的硅粉以及石墨片组成，实现了无其他杂质掺杂可能，配合新热场以及坩埚能够得到质量较高，生长均匀的SiC单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 质量 sic 装置 方法 | ||
【主权项】：
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