[发明专利]GaN器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110170455.8 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN113053842A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 莫炯炯;郁发新;王志宇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN器件结构及其制备方法，制备方法包括：提供半导体基底，进行碳化形成碳化硅层，形成外延结构，形成器件电极，形成窗口，在半导体基底背面制备背孔，形成散热腔，液冷自背孔通入并基于散热腔实现散热。本发明通过基底中的氧化层定义液冷的沟道位置，通过氧化层的刻蚀形成液冷散热通道，通过液冷散热流经器件有效区，大大增强了散热效果，无需传统的衬底背部减薄工艺，金属热沉键合工艺；本发明可以基于背孔及其布置进一步优化散热效果，并且，背孔还可以同时作为形成散热腔的开口；另外，可以通过正面开窗形成散热腔并实现器件的有效隔离，同时还可以进一步增强散热，提高工艺效率。 | ||
| 搜索关键词： | gan 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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