[发明专利]金属氧化物膜、半导体装置以及显示装置在审
| 申请号： | 202110149865.4 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113224171A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;肥塚纯一;冈崎健一;津吹将志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 葛臻翼;董庆 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种包括结晶部的金属氧化物膜。另外，提供一种物性的稳定性高的金属氧化物膜。另外，提供一种电特性得到提高的金属氧化物膜。另外，提供一种可以提高场效应迁移率的金属氧化物膜。一种包含In、M(M为Al、Ga、Y或Sn)及Zn的金属氧化物膜，该金属氧化物膜包括第一结晶部及第二结晶部，第一结晶部具有c轴取向性，第二结晶部没有c轴取向性，第二结晶部的存在比例高于第一结晶部。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 装置 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110149865.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：通气阀
- 下一篇：输入编辑装置及输入编辑方法
- 同类专利
- 专利分类
