[发明专利]一种集成MIS-HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用在审
| 申请号： | 202110141718.2 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN114843225A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 张斌;王金延;李梦军;陶倩倩;王鑫;汪晨;吴文刚 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/8252 | 分类号： | H01L21/8252;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/417;H01L29/778;H01L29/872;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管在器件宽度方向上进行交叉设置，形成叉指并联结构，且MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管采用同样的湿法刻蚀工艺。与现有技术相比，本发明制备的开关器件具有正向阈值电压、更高正、反向导通电流以及更低反向开启电压，从而提升整个器件的击穿电压，实现更低的开关损耗、更小的占用面积以及更高的转换速率以及更高的工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 mis hemt 器件 gan 肖特基 二极管 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
