[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110138484.6 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN113284894A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 吴国晖;王柏钧;陈志良;田丽钧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括掩埋式逻辑导体(BLC)CFET，BLC CFET包括：相对于第一方向，根据CFET类型配置布置在堆叠件中的第一有源区域和第二有源区域；第一接触结构和第二接触结构，对应地电耦合至第一有源区域；第三接触结构和第四接触结构，对应地电耦合到第二有源区域；堆叠件上方的第一金属化层，包括：配置为用于逻辑信号的α逻辑导体(α逻辑导体)；和电网(PG)导体；α逻辑和PG导体彼此不重叠；堆叠件下方的金属化层，包括彼此不重叠的β逻辑导体，相对于第二方向，α逻辑导体、PG导体和β逻辑导体中的每一个至少部分地与第一接触结构、第二接触结构、第三接触结构和第四接触结构中的一个或多个重叠。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
