[发明专利]半导体装置及半导体存储装置在审
| 申请号： | 202110102182.3 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114267740A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 佐藤祐太;上田知正;齐藤信美;池田圭司 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：衬底；第1电极；第2电极，其与衬底之间设置着第1电极；氧化物半导体层，设置在第1电极与第2电极之间，与第1电极相接，含有选自由铟(In)、镓(Ga)、硅(Si)、铝(Al)及锡(Sn)所组成的群中的至少一种第1元素和锌(Zn)，化学组成和第1电极及第2电极不同；导电层，设置在氧化物半导体层与第2电极之间，与第2电极相接，含有选自由铟(In)、镓(Ga)、硅(Si)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)及钛(Ti)所组成的群中的至少一种第2元素和氧(O)，化学组成和第1电极、第2电极及氧化物半导体层不同；栅极电极；以及栅极绝缘层，设置在氧化物半导体层与栅极电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 存储 | ||
【主权项】：
暂无信息
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