[发明专利]屏蔽闸极沟槽式金氧半场效晶体管在审
| 申请号： | 202110097923.3 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114792722A | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 赖东明 | 申请（专利权）人： | 博盛半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人： | 牟长林 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种屏蔽闸极沟槽式金氧半场效晶体管，其特征在于各沟槽结构内皆具有屏蔽电极及沟槽闸极，另外，通过离子布植技术在沟槽下方的磊晶层内具有一离子注入区，该区域布植有与磊晶层相反电性的少数载子，使本发明在不需增加磊晶层厚度的情况下，即可达到提高崩溃电压的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 式金氧 半场 晶体管 | ||
【主权项】：
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