[发明专利]屏蔽闸极沟槽式金氧半场效晶体管在审
| 申请号： | 202110097923.3 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114792722A | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 赖东明 | 申请（专利权）人： | 博盛半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人： | 牟长林 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 式金氧 半场 晶体管 | ||
1.一种屏蔽闸极沟槽式金氧半场效晶体管，其特征在于，包括：
一基板，掺杂有一第一掺杂浓度的一第一导电载子；
一磊晶层，位于该基板上方，掺杂有一第二掺杂浓度的该第一导电载子；
至少一沟槽，成型于该磊晶层往该基板方向的延伸；
一屏蔽电极，成型该沟槽内；
一沟槽闸极，位于该沟槽内及该屏蔽电极上方；
一第一绝缘层，成型于该屏蔽电极外周缘及下方；
一第二绝缘层，成型于该沟槽闸极与该屏蔽闸极之间；
一闸氧化层，成型于该沟槽闸极外侧四周缘；
一主体区，位于该沟槽的侧面；
一源极区域，位于该主体区的上方，该源极区离子植入具有该第一掺杂浓度的该第一导电载子；
一源极绝缘层，其覆盖住沟槽上方；
一源极金属层，其位于该主体区上方；以及
一离子注入区，位于该磊晶层内且该沟槽下方的位置，掺杂有一第三掺杂浓度的一第二导电载子。
2.如权利要求1所述的屏蔽闸极沟槽式金氧半场效晶体管，其特征在于，该第一掺杂浓度高于该第二掺杂浓度。
3.如权利要求1所述的屏蔽闸极沟槽式金氧半场效晶体管，其特征在于，当该屏蔽闸极沟槽式金氧半场效晶体管为N型的沟槽式金氧半导体场效晶体管时，该第一导电载子为一N型导电载子，该第二导电载子为一P型导电载子。
4.如权利要求1所述的屏蔽闸极沟槽式金氧半场效晶体管，其特征在于，当该屏蔽闸极沟槽式金氧半场效晶体管为P型的沟槽式金氧半导体场效晶体管时，该第一导电载子为一P型导电载子，该第二导电载子为一N型导电载子。
5.如权利要求1所述的屏蔽闸极沟槽式金氧半场效晶体管，其特征在于，该磊晶层内且该沟槽下方的位置具有多个该离子注入区。
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