[发明专利]MOSFET器件版图的修整方法在审
| 申请号： | 202110090025.5 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112928159A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 孙访策;郑舒静;林晓帆;黄冲;张明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/40;H01L21/027;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MOSFET器件版图的修整方法，通过获取原始版图，然后，修改所述原始版图的设计规则；接着，通过修改后的所述原始版图的设计规则修改浮栅版图，减小所述浮栅版图中的所有浮栅图形的尺寸，以增大第一浮栅子图形与有源区图形之间的间距；如此，可以简单及快速的完成原始版图的修改，并实现版图设计层面上的功耗优化。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 版图 修整 方法 | ||
【主权项】：
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