[发明专利]基板处理方法和基板处理系统在审
| 申请号： | 202110089464.4 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN113192832A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 滨康孝;新藤信明;米田滋 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基板处理方法和基板处理系统，能够适当地对离子体处理后的基板进行除电处理。该基板处理方法用于对基板进行处理，包括以下工序：工序(a)，将所述基板载置在静电吸盘上，并对所述静电吸盘施加直流电压，由此使所述基板吸附于所述静电吸盘；工序(b)，对电极供给高频电力，并利用非活性气体来生成等离子体；工序(c)，停止对所述静电吸盘施加所述直流电压；以及工序(d)，使被供给到所述电极的所述高频电力逐渐降低，并使该高频电力为0W。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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