[发明专利]基板处理方法和基板处理系统

说明书

本发明涉及一种基板处理方法和基板处理系统，能够适当地对离子体处理后的基板进行除电处理。该基板处理方法用于对基板进行处理，包括以下工序：工序(a)，将所述基板载置在静电吸盘上，并对所述静电吸盘施加直流电压，由此使所述基板吸附于所述静电吸盘；工序(b)，对电极供给高频电力，并利用非活性气体来生成等离子体；工序(c)，停止对所述静电吸盘施加所述直流电压；以及工序(d)，使被供给到所述电极的所述高频电力逐渐降低，并使该高频电力为0W。

技术领域

本公开涉及一种基板处理方法和基板处理系统。

背景技术

在专利文献1中公开了一种被吸附于静电吸盘的晶圆的脱离方法。在上述的方法中，在使用非活性气体的等离子体来去除被吸附于静电吸盘的晶圆的残留电荷时，对吸盘电极施加除电电压V_plasma。V_plasma与施加等离子体时的晶圆的自偏置电位V_dc相当。

在专利文献2中公开了一种被吸附于样品台的晶圆的脱离方法。在上述的方法中，在开始进行使样品从样品台脱离的处理后，在从停止供给等离子体生成用高频电力起经过了规定时间之后，使对用于使晶圆静电吸附于样品台的电极施加的直流电压从规定的值变更为大致0V。上述规定的值是使得在直流电压大致为0V时晶圆的电位大致成为0V的、预先求出的值。上述规定时间是基于利用等离子体生成的带电粒子消失的时间或者余辉放电消失的时间规定的时间。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-47511号公报

专利文献2：日本特开2018-22756号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开所涉及的技术适当地对等离子体处理后的基板进行除电处理。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式是一种用于对基板进行处理的方法，该方法包括以下工序：工序(a)，将所述基板载置在静电吸盘上，并对所述静电吸盘施加直流电压，由此使所述基板吸附于所述静电吸盘；工序(b)，对电极供给高频电力，并利用非活性气体来生成等离子体；工序(c)，停止对所述静电吸盘施加所述直流电压；工序(d)，使被供给到所述电极的所述高频电力逐渐降低，并使该高频电力为0W。

发明的效果

根据本公开，能够适当地进行等离子体处理后的基板的除电处理。

附图说明

图1是表示本实施方式所涉及的等离子体处理系统的结构的概要的说明图。

图2是表示本实施方式中的晶圆的脱离处理的处理工序的说明图。

图3示出晶圆的脱离处理中的晶圆的电位、升降销的速度以及对下部电极供给的高频电力的随时间的变化。

图4示出晶圆的脱离处理中的晶圆的电位、升降销的速度以及对下部电极供给的高频电力的随时间的变化，并将实施例与比较例进行了对比。

图5示出晶圆的脱离处理中的晶圆的电位、升降销的速度以及对下部电极供给的高频电力的随时间的变化，改变了高频电力的降低时间并进行了比较。

图6是表示在使高频电力从200W降低到0W的情况下改变了降低时间时的晶圆的电位变动的曲线图。

图7是表示其它的实施方式中的晶圆的脱离处理的处理工序的说明图。