[发明专利]基板处理方法和基板处理系统

权利要求书

1.一种基板处理方法，用于对基板进行处理，所述基板处理方法包括以下工序：

工序(a)，将所述基板载置在静电吸盘上，并对所述静电吸盘施加直流电压，由此使所述基板吸附于所述静电吸盘；

工序(b)，对电极供给高频电力，并利用非活性气体来生成等离子体；

工序(c)，停止对所述静电吸盘施加所述直流电压；

工序(d)，使被供给到所述电极的所述高频电力逐渐降低，并使该高频电力为0W。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述工序(d)之后还包括工序(e)，在该工序(e)中，使所述基板上升来使所述基板离开所述静电吸盘。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述工序(c)与所述工序(d)之间还包括工序(e)，在该工序(e)中，使所述基板上升来使所述基板离开所述静电吸盘。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在所述工序(a)与所述工序(b)之间还包括以下工序：

工序(f)，向所述电极供给第一高频电力来对所述基板进行等离子体处理；以及

工序(g)，停止供给所述第一高频电力。

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述工序(f)中，向所述电极供给所述第一高频电力以及频率与该第一高频电力的频率不同的第二高频电力。

6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一高频电力的频率比所述第二高频电力的频率高。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在所述工序(a)与所述工序(b)之间还包括以下工序：

工序(h)，向所述基板的背面供给传热气体；以及

工序(i)，停止供给所述传热气体。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述工序(d)中，花费0.5秒～4秒来使所述高频电力逐渐降低。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述工序(d)中，使所述高频电力以固定速度降低。

10.根据权利要求1～9中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述工序(c)中，使所述直流电压逐渐降低。

11.根据权利要求1～10中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述工序(b)中，使所述高频电力逐渐上升。

12.根据权利要求1～11中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述工序(b)中，所述非活性气体仅包含氩气。

13.根据权利要求1～12中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述工序(b)中，所述高频电力为100W～400W。

14.根据权利要求1～13中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述电极是配置于所述静电吸盘的下部的下部电极。

15.根据权利要求1～13中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述电极是配置于所述静电吸盘的上部的上部电极。

16.一种基板处理系统，对基板进行处理，所述基板处理系统具有：

静电吸盘，其对基板进行吸附保持；

电极；

高频电力供给部，其向所述电极供给高频电力；

气体供给部，其供给非活性气体；以及

控制部，其控制所述静电吸盘、所述高频电力供给部以及所述气体供给部，

其中，所述控制部控制所述静电吸盘、所述高频电力供给部以及所述气体供给部，以使以下工序被执行：

工序(a)，将所述基板载置在所述静电吸盘上，并对所述静电吸盘施加直流电压，由此使所述基板吸附于所述静电吸盘；

工序(b)，对所述电极供给所述高频电力，并利用非活性气体来生成等离子体；

工序(c)，停止对所述静电吸盘施加所述直流电压；以及

工序(d)，使被供给到所述电极的所述高频电力逐渐降低，并使该高频电力为0W。