[发明专利]保护电路和存储器在审
| 申请号： | 202110069469.0 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112885387A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘格言;谷银川 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4078 | 分类号： | G11C11/4078;G11C29/08 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;黄健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种保护电路和存储器。该电路应用于芯片中，该电路包括：第一保护单元和第一被保护元件，其中，第一保护单元接收第一输入信号和控制信号，并输出第一输出信号，第一被保护元件包括第一P型晶体管，P型晶体管的栅极接收第一输出信号，其中，当芯片进入老化测试时，第一输出信号为高电平信号。从而，避免了芯片在进入老化测试时对第一P型晶体管的NBTI效应带来的损伤，提高芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 电路 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110069469.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种耐高温不燃树脂及其制备方法
- 下一篇：一种反应堆单晶硅辐照控制系统
