[发明专利]保护电路和存储器

权利要求书

1.一种保护电路，应用于芯片中，其特征在于，包括：

第一保护单元，所述第一保护单元接收第一输入信号和控制信号，并输出第一输出信号；

第一被保护元件，其包括第一P型晶体管，所述第一P型晶体管的栅极接收所述第一输出信号；

其中，当所述芯片进入老化测试时，所述第一输出信号为高电平信号。

2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，

当所述第一输入信号为高电平信号，所述控制信号为第一电平信号时，所述第一输出信号为高电平信号，所述控制信号为第二电平信号时，所述第一输出信号为低电平信号。

3.根据权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述芯片进入老化测试时，所述控制信号为所述第一电平信号，所述芯片进入其他测试时，所述控制信号为所述第二电平信号，所述其他测试为不包含所述老化测试的测试状态。

4.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第一保护单元包括与非门电路、或非门电路、与或非门电路、与门电路、或门电路、异或门电路、同或门电路、传输门、触发器、锁存器和寄存器中的任一个。

5.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第一被保护元件还包括第一N型晶体管。

6.根据权利要求5所述的保护电路，其特征在于，所述第一P型晶体管的栅极和所述第一N型晶体管的栅极连接，所述第一P型晶体管的源极连接电源端，所述第一P型晶体管的漏极与所述第一N型晶体管漏极连接，所述第一N型晶体管的源极连接接地端。

7.根据权利要求1-6任一项所述的保护电路，其特征在于，还包括：

第二保护单元和第二被保护元件；

所述第二保护单元接收第二输入信号和所述控制信号，并输出第二输出信号；

所述第二被保护元件包括第二P型晶体管，所述第二P型晶体管的栅极接收所述第二输出信号；

其中，当所述芯片进入老化测试时，所述第二输出信号为高电平信号。

8.根据权利要求7所述的保护电路，其特征在于，

当所述第二输入信号为高电平信号，所述控制信号为第一电平信号时，所述第二输出信号为高电平信号，所述控制信号为第二电平信号时，所述第二输出信号为低电平信号。

9.根据权利要求7所述的保护电路，其特征在于，所述第二被保护元件还包括第二N型晶体管。

10.根据权利要求9所述的保护电路，其特征在于，所述第二P型晶体管的栅极和所述第二N型晶体管的栅极连接，所述第二P型晶体管的源极连接电源端，所述第二P型晶体管的漏极与所述第二N型晶体管漏极连接，所述第二N型晶体管的源极连接接地端。

11.一种存储器，其特征在于，包括命令解码模块和权利要求1-10任一项所述的保护电路；

所述命令解码模块输出所述控制信号。

12.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述命令解码模块用于在接收到所述老化测试的开始命令时输出为第一电平信号的控制信号，在接收到所述老化测试的结束命令时输出为第二电平信号的控制信号。

13.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述第一输入信号在所述存储器处于工作状态时为固定电平的第一电平信号。

14.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述第一输入信号在所述存储器处于工作状态时为固定电平的第二电平信号。

15.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述第一输入信号在所述存储器处于工作状态时为非时钟信号。