[发明专利]微影系统和标线片结构及其制造方法在审
申请号: | 202110069426.2 | 申请日: | 2021-01-19 |
公开(公告)号: | CN113204168A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 林雲躍 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/64;G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种微影系统和标线片结构及其制造方法,标线片结构包含具有图案化特征的标线片和围绕图案化特征的第一边界部分。标线片结构包含薄膜,此薄膜具有中间部分和围绕中间部分的第二边界部分。标线片结构包含设置在薄膜和标线片之间的框架,以将薄膜安装在标线片的图案化特征上。框架在标线片和薄膜之间建立了一个封闭空间,并包围了标线片的图案化特征。框架包含多个孔,并且多个孔在框架中产生开口的临界百分比,以将封闭空间与封闭空间外部之间的平衡压力差维持在临界压力以下。 | ||
搜索关键词: | 系统 标线 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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