[发明专利]微影系统和标线片结构及其制造方法

说明书

一种微影系统和标线片结构及其制造方法，标线片结构包含具有图案化特征的标线片和围绕图案化特征的第一边界部分。标线片结构包含薄膜，此薄膜具有中间部分和围绕中间部分的第二边界部分。标线片结构包含设置在薄膜和标线片之间的框架，以将薄膜安装在标线片的图案化特征上。框架在标线片和薄膜之间建立了一个封闭空间，并包围了标线片的图案化特征。框架包含多个孔，并且多个孔在框架中产生开口的临界百分比，以将封闭空间与封闭空间外部之间的平衡压力差维持在临界压力以下。

技术领域

本揭露是有关于一种微影系统和一种标线片结构及其制造方法。

背景技术

在集成电路(integrated circuit,IC)设计期间，针对集成电路制程的不同步骤产生了集成电路的许多布局图案。布局图案包含与要在基板上制造的结构相对应的几何形状。布局图案可以是遮罩上的图案，其被辐射源投影(例如，成像)在基板上的光阻层上以建立集成电路。微影制程将遮罩的图案转移到基板的光阻层，使得蚀刻、布植或其他步骤仅应用于基板的预定区域。可以使用极紫外光(extreme ultraviolet,EUV)辐射源来曝露基板的光阻层以将遮罩的图案转移到光阻层上。

发明内容

依据本揭露的一些实施方式，提供一种微影系统，包含：标线片结构和曝光装置。标线片结构，包含：标线片、薄膜和框架。标线片具有多个图案化特征。框架设置在薄膜和标线片之间，并且用以将薄膜安装在标线片的图案化特征上，其中框架环绕图案化特征并在标线片和薄膜之间产生封闭空间，其中框架包含多个孔，并且这些孔的数量大于这些孔的临界数量，以将封闭空间和封闭空间外部之间的平衡压力差保持在临界压力下。曝光装置包含辐射源，用以发射辐射束以将标线片的图案化特征反射和/或投射到基板上。曝光装置进一步包含一个或多个反射镜，用以将反射和/或投射的图案化特征引导到基板上。

依据本揭露的一些实施方式，提供一种标线片结构，包含：标线片、薄膜和框架。标线片具有多个图案化特征和包围图案化特征的第一边界部分。薄膜具有中间部分以及包围中间部分的第二边界部分。框架设置在薄膜和标线片之间，并用以将薄膜安装在标线片的图案化特征上，其中框架在标线片和薄膜之间形成封闭空间并包围标线片的图案化特征，其中框架包含多个孔，并且其中这些孔在框架中产生开口的临界百分比，以将封闭空间和封闭空间外部之间的平衡压力差保持在临界压力以下。

依据本揭露的一些实施方式，提供一种方法，包含：将薄膜安装在框架上，其中薄膜包含中间部分和包围中间部分的边界部分；将具有多个孔的框架从第一侧透过第一粘着层连接到薄膜的边界部分，其中框架环绕薄膜的中间部分，并且其中深紫外光或极紫外光辐射可穿透薄膜的中间部分；将第二粘着层连接到与框架的第一侧相对的框架的第二侧，其中框架用以经由第二粘着层附接到标线片，以在薄膜、标线片和框架之间产生封闭空间；以及透过这些孔在框架中提供开口的临界百分比，其中开口的临界百分比在封闭空间内部和封闭空间外部之间的体积中维持低于临界压力的平衡压力差。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本揭露。要强调的是，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制，仅用于说明目的。实际上，为了讨论的清楚，各种特征的尺寸可以任意地增加或减小。

图1绘示根据本揭露的一些实施方式的具有激光产生的电浆(laser producedplasma,LPP)极紫外光(extreme ultraviolet,EUV)辐射源的极紫外光微影系统的示意图；

图2绘示根据本揭露的一些实施方式的极紫外光微影曝光工具的示意图；

图3A和图3B绘示根据本揭露的一些实施方式的反射式标线片结构和将反射式标线片结构投影在半导体元件上的剖面图；

图4绘示具有边界的薄膜；

图5A、图5B和图5C绘示根据本揭露的一些实施方式的在标线片上具有保护膜结构的标线片结构，此保护膜结构具有安装在框架上的薄膜；