[发明专利]微影系统和标线片结构及其制造方法在审
申请号: | 202110069426.2 | 申请日: | 2021-01-19 |
公开(公告)号: | CN113204168A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 林雲躍 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/64;G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 系统 标线 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种微影系统,其特征在于,包含:
一标线片结构,包含:
一标线片,具有多个图案化特征;
一薄膜;以及
一框架,设置在该薄膜和该标线片之间,并且用以将该薄膜安装在该标线片的所述多个图案化特征上,其中该框架环绕所述多个图案化特征并在该标线片和该薄膜之间产生一封闭空间,其中该框架包含多个孔,并且其中所述多个孔的一数量大于所述多个孔的一临界数量,以将该封闭空间和该封闭空间外部之间的一平衡压力差维持在一临界压力下;以及
一曝光装置,包含一辐射源,用以发射一辐射束以将该标线片的所述多个图案化特征反射和/或投射到一基板上;以及
该曝光装置进一步包含一或多个反射镜,用以将反射和/或投射的所述多个图案化特征引导到该基板上。
2.根据权利要求1所述的微影系统,其特征在于,所述多个孔用以产生一开口,以使气体在该封闭空间与该封闭空间外部之间流通,并且其中当该标线片结构在该曝光装置外部的大气压与该曝光装置内部的一真空环境之间转移时,该开口用以使该封闭空间与该封闭空间外部之间的压力平衡。
3.根据权利要求1所述的微影系统,其特征在于,该薄膜包含一中间部分和包围该中间部分的一第一边界部分,其中一边界层设置在该第一边界部分上方,其中该辐射源发射的该辐射束可穿透该薄膜,其中该边界层的一材料包含硅并且该薄膜的一材料包含多晶硅、硅化物或石墨,其中该框架的一材料包含硅、碳化硅、氮化硅或玻璃,并且其中一另一层包含设置在该边界层的相对侧的该薄膜上的一或多个元素钌、钼、锆、硼、铌、铱、钛、其氧化物或其氮氧化物以用于散热。
4.一种标线片结构,其特征在于,包含:
一标线片,具有多个图案化特征和包围所述多个图案化特征的一第一边界部分;
一薄膜,具有一中间部分以及包围该中间部分的一第二边界部分;以及
一框架,设置在该薄膜和该标线片之间,并用以将该薄膜安装在该标线片的所述多个图案化特征上,其中该框架在该标线片和该薄膜之间形成一封闭空间并包围该标线片的所述多个图案化特征,其中该框架包含多个孔,并且其中所述多个孔在该框架中产生一开口的临界百分比,以将该封闭空间和该封闭空间外部之间的一平衡压力差维持在一临界压力以下。
5.根据权利要求4所述的标线片结构,其特征在于,当该标线片结构在一真空环境与一大气压环境之间转移时,该框架中的该开口的临界百分比用以将该封闭空间与该封闭空间外部之间的该平衡压力差维持在该临界压力以下。
6.根据权利要求4所述的标线片结构,其特征在于,该框架的一顶侧透过一粘着层附接到设置在该薄膜的该第二边界部分上的一边界层,并且该框架的一底侧透过一另一粘着层附接至该标线片的该第一边界部分,其中深紫外光或极紫外光辐射可穿透该薄膜。
7.根据权利要求4所述的标线片结构,其特征在于,该薄膜的一厚度在30纳米至100纳米之间,并且其中该框架的一厚度在2毫米至4毫米之间。
8.根据权利要求4所述的标线片结构,其特征在于,该开口的临界百分比为25%,并且该临界压力为3.5帕斯卡。
9.一种标线片结构的制造方法,其特征在于,包含:
将一薄膜安装在一框架上,其中该薄膜包含一中间部分和包围该中间部分的一边界部分;
将具有多个孔的该框架从一第一侧透过一第一粘着层连接到该薄膜的该边界部分,其中该框架环绕该薄膜的该中间部分,并且其中深紫外光或极紫外光辐射可穿透该薄膜的该中间部分;
将一第二粘着层连接到与该框架的该第一侧相对的该框架的一第二侧,其中该框架用以经由该第二粘着层附接到一标线片,以在该薄膜、该标线片和该框架之间产生一封闭空间;以及
透过所述多个孔在该框架中提供一开口的临界百分比,其中该开口的临界百分比在该封闭空间内部和该封闭空间外部之间的一体积中维持低于一临界压力的一平衡压力差。
10.根据权利要求9所述的标线片结构的制造方法,其特征在于,进一步包含:
将一空气过滤器安装在所述多个孔中的一或多个孔中,以防止多个颗粒穿过所述多个孔。
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