[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法和显示装置及其制作方法在审
| 申请号： | 202110060500.4 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112786453A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 刘宁;张大成;王庆贺;刘军 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 王婷;姜春咸 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法和显示装置及其制作方法，该方法包括：在衬底基板上形成栅极层；在栅极层的远离衬底基板一侧形成栅绝缘层；在栅绝缘层的远离栅极层的一侧形成有源层；对有源层位于源极接触区和漏极接触区的部分进行导体化工艺，以形成第一导体部和第二导体部；在有源层的远离栅极层的一侧构图形成源极和漏极，其中，源极与第一导体部电接触，漏极与第二导体部电接触。本发明提出的薄膜晶体管及其制作方法和显示装置及其制作方法，其能够使薄膜晶体管的制作过程简单，并使制作出来的薄膜晶体管的开态电流较高，显示效果良好。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
