[发明专利]用于使用反转图案形成图案的方法在审
| 申请号： | 202110054311.6 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN113889401A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李政衡;朴萨汉;宋姝璃;林志英;郑相禧 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种用于使用反转图案形成图案的方法。在形成图案的方法中，可以在下反转层上形成第一上反转图案和第二上反转图案。可以形成缓冲层以填充由第一上反转图案提供的第一开口部分。可以形成遮蔽图案以覆盖缓冲层的第二区域。可以使用遮蔽图案和第一上反转图案作为第一刻蚀掩模来执行刻蚀工艺，以形成第一下反转图案以及缓冲层图案和与遮蔽图案重叠的第二下反转图案，该第一下反转图案提供与第一开口部分重叠的第二开口部分。可以形成硬掩模层并进行刻蚀以分离填充第一开口部分和第二开口部分的硬掩模层第一图案。可以使用硬掩模层第一图案和第二上反转图案作为刻蚀掩模来执行刻蚀工艺，以形成与第二上反转图案重叠的第三下反转图案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 反转 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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