[发明专利]用于使用反转图案形成图案的方法

权利要求书

1.一种用于形成图案的方法，所述方法包括：

在包括第一区域和第二区域的半导体衬底上顺序地形成第一硬掩模层、下反转层和上反转层；

将所述上反转层图案化为位于所述第一区域上的第一上反转图案和位于所述第二区域上的第二上反转图案，并在所述第一上反转图案之间提供第一开口部分；

形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第一上反转图案和所述第二上反转图案；

形成遮蔽图案，所述遮蔽图案覆盖所述缓冲层的位于所述第二区域上的第二部分，而留下所述缓冲层的位于所述第一区域上的第一部分被暴露；

将所述下反转层和所述缓冲层图案化为第一下反转图案以及缓冲层图案和与所述遮蔽图案重叠的第二下反转图案，其中所述第一下反转图案提供分别与所述第一开口部分重叠的第二开口部分；

形成第二硬掩模层，所述第二硬掩模层覆盖所述第一上反转图案和所述缓冲层图案；

刻蚀所述第二硬掩模层以形成第二硬掩模层第一图案和第二硬掩模层第二图案，所述第二硬掩模层第一图案填充所述第一开口部分和所述第二开口部分，所述第二硬掩模层第二图案填充所述第一上反转图案与所述缓冲层图案之间的空间；以及

选择性地去除所述第一上反转图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述下反转层和所述缓冲层图案化为所述第一下反转图案、所述缓冲层图案和所述第二下反转图案的步骤包括：使用所述遮蔽图案和所述第一上反转图案作为第一刻蚀掩模来顺序地去除所述缓冲层的所述第一部分和所述下反转层的一些部分。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述半导体衬底上形成目标层；

使用所述第二硬掩模层第一图案、所述第二硬掩模层第二图案和所述第二上反转图案作为第二刻蚀掩模来去除所述第一下反转图案、所述缓冲层图案和所述第二下反转图案的一些部分，以将所述第二下反转图案图案化为与所述第二上反转图案重叠的第三下反转图案；

选择性地去除所述第一硬掩模层的由所述第二硬掩模层第一图案、所述第二硬掩模层第二图案和所述第三下反转图案暴露的部分，以将所述第一硬掩模层图案化为第一硬掩模层图案；以及

将所述第一硬掩模层图案的图案转移到所述目标层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一开口部分中的每个具有与所述第二上反转图案不同的平面形状。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一开口部分中的每个具有小于所述第二上反转图案的线宽。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一开口部分中的每个具有基本上相同的孔形状，并且所述第二上反转图案中的每个具有矩形平面形状。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二硬掩模层第一图案具有基本上相同的柱状，以及

其中，所述第二硬掩模层第二图案具有大于所述第二硬掩模层第一图案的线宽，并且具有沿着所述第一区域与所述第二区域之间的边界延伸的条状。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下反转层的厚度大于所述上反转层的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述上反转层和所述下反转层包括彼此具有不同刻蚀速率的电介质材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述上反转层包括氮氧化硅层，并且所述下反转层包括旋涂层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述上反转层图案化为所述第一上反转图案和所述第二上反转图案的步骤包括：

在所述上反转层上形成光致抗蚀剂层；

用极紫外光使所述光致抗蚀剂层的一些部分曝光并显影，以从所述光致抗蚀剂层形成光致抗蚀剂图案；以及

将所述光致抗蚀剂图案的图案转移到所述上反转层。