[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202110053986.9 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN113497059A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 峰村洋一;高桥检世;浅野孝司 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11565;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体存储装置具备多个第1绝缘层和多个第1栅极电极层沿第1方向交替地层叠而成的第1层叠体、设置于第1层叠体之中且沿第1方向延伸的第1半导体层、设置于第1半导体层与第1栅极电极层之间的第1电荷蓄积层、多个第2绝缘层与多个第2栅极电极层沿第1方向交替地层叠而成的第2层叠体、设置于第2层叠体之中且沿第1方向延伸的第2半导体层、设置于第2半导体层与第2栅极电极层之间的第2电荷蓄积层、设置于第1层叠体与第2层叠体之间且沿第1方向及与第1方向垂直的第2方向延伸的导电层、以及设置于第1栅极电极层与导电层之间且包含选自由磷、硼、碳及氟构成的组中的至少一种元素的第1氧化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
