[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110029917.4 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN113380889A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 西胁达也;可知刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/45;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种能够降低电力损失的半导体装置。实施方式涉及的半导体装置具备第一电极、半导体层、第一导电部、第二导电部以及第二电极。半导体层包括与第一电极电连接的第一导电型的第一半导体区域、设置在第一半导体区域之上的第二导电型的第二半导体区域、以及设置在第二半导体区域之上的第一导电型的第三半导体区域。第一导电部包括经由第一绝缘部设置在第一半导体区域中的嵌入电极部。第二导电部包括经由第二绝缘部设置在嵌入电极部之上、且隔着栅极绝缘部与第二半导体区域对置的栅极电极部。第二电极设置在半导体层之上，并与第二半导体区域以及第三半导体区域电连接。第一导电部与第二导电部电连接。第一导电部的电阻比第二导电部的电阻大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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