[发明专利]太阳能电池及其制作方法在审
| 申请号： | 202110024415.2 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113451445A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/18;H01L31/0368;H01L31/0376;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京箴思知识产权代理有限公司 11913 | 代理人： | 李春晖;谭艳 |
| 地址： | 242074 安徽省宣城市宣城经*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种太阳能电池及其制作方法，其中该太阳能电池制作方法采用在第一本征非晶硅层的表面形成第一掺杂型非晶硅层后，对其进行退火；和/或，在第二本征非晶硅层的表面形成第二掺杂型非晶硅层后，对其进行退火，从而在第一掺杂型非晶硅层和/或第二掺杂型非晶硅层形成微晶或多晶结构，能够有效的将氢原子稳定于本征非晶硅层，进而提高电池效率；另一方面，在形成掺杂型非晶硅层后直接对其进行退火，退火的条件更好把控。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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