[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110017445.0 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN113345963A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 彭成毅;李松柏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在源极/漏极(S/D)区和全环珊结构之间具有内部间隔件结构的半导体器件的结构以及制造该半导体器件的方法。半导体器件，包括：衬底；纳米结构层的堆叠件，具有设置在衬底上的第一纳米结构区和第二纳米结构区；第一S/D区和第二S/D区，设置在衬底上。第一S/D区和第二S/D区中的每一者包括围绕在第一纳米结构区中的每一者周围的外延区；全环栅(GAA)结构，设置在第一S/D区和第二S/D区之间，并且围绕在第二纳米结构区中的每一者周围；第一内部间隔件，设置在第一S/D区的外延子区和全环栅结构的栅极子区之间；第二内部间隔件，设置在第二S/D区的外延子区和全环栅结构的栅极子区之间；钝化层，设置在第一纳米结构区和第二纳米结构区的侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
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