[发明专利]集成电路电容器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种集成电路电容器件及其制备方法，制备方法包括：提供衬底；于衬底的上表面形成交替层叠的牺牲层及支撑层，并在支撑层及牺牲层内形成电容孔；于电容孔的侧壁及底部形成下电极；于支撑层上形成开口，开口暴露出牺牲层，并基于开口去除牺牲层；于下电极的表面形成包括交替层叠的电介质层结构和界面层的叠层结构，电介质层结构包括第一电介质材料层，界面层包括具有比第一电介质材料层的带隙能量高的第二电介质材料层；对叠层结构进行热处理，热处理后的第一电介质材料层为晶态相，热处理后的第二电介质材料层为非晶态相；于叠层结构的表面形成上电极；其中，上电极或下电极与电介质层结构之间至少具有界面层。