[发明专利]光传感器设备及其制备方法在审
| 申请号： | 202080095152.8 | 申请日： | 2020-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN115039225A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 勝野元成;工藤義治 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可以减小暗电流并提高灵敏度的光传感器设备及其制备方法。所述光传感器设备包括：基板(1‑13)；形成于所述基板(1‑13)上的锗或锗硅层，所述锗或锗硅层包括n型锗或锗硅层(1‑2)和p型锗或锗硅层(1‑3)；由p型硅或硅锗层(1‑4)组成的导电层，所述导电层形成于所述锗或锗硅层的顶部和侧面。所述制备光传感器设备的方法包括：提供基板(1‑13)；在所述基板(1‑13)上形成锗或锗硅层，所述锗或锗硅层包括n型锗或锗硅层(1‑2)和p型锗或锗硅层(1‑3)；形成由p型硅或硅锗层(1‑4)组成的导电层，所述导电层形成于所述锗或锗硅层的顶部和侧面。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 设备 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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