[发明专利]光传感器设备及其制备方法

权利要求书

1.一种光传感器设备，其特征在于，包括：

第一基板；

形成于所述第一基板上的锗或锗硅层，所述锗或锗硅层包括n型锗或锗硅层和p型锗或锗硅层；

由p型硅或硅锗层组成的导电层，所述导电层形成于所述锗或锗硅层的顶部和侧面。

2.根据权利要求1所述的光传感器设备，其特征在于，所述导电层连接到邻近所述光传感器设备的另一光传感器设备的另一导电层。

3.根据权利要求2所述的光传感器设备，其特征在于，还包括：

第一金属电极，所述第一金属电极连接到所述光传感器设备与所述另一光传感器设备中间的所述导电层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光传感器设备，其特征在于，在所述第一基板与所述锗或锗硅层之间形成绝缘层，所述第一基板与所述锗或锗硅层通过置于所述绝缘层中的金属区域连接。

5.根据权利要求2所述的光传感器设备，其特征在于，所述导电层具有平坦层，所述平坦层形成于所述锗或锗硅层的顶部并延伸，使得所述平坦层连接到所述另一光传感器设备的所述另一导电层。

6.根据权利要求5所述的光传感器设备，其特征在于，还包括：

第二金属电极，所述第二金属电极连接到所述光传感器设备与所述另一光传感器设备中间的所述平坦层。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光传感器设备，其特征在于，所述锗或锗硅层的上侧不会形成额外的金属电极。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的光传感器设备，其特征在于，所述导电层和所述锗或锗硅层形成于第二基板中制备的沟槽中。

9.一种成像系统，其特征在于，包括：

发射器单元，用于向物体发射光；

接收器单元，包括根据权利要求1至8中任一项所述的光传感器设备阵列，用于根据所接收的从所述物体反射的光输出信号；

处理单元，用于处理所述输出信号。

10.一种制备光传感器设备的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一基板；

在所述第一基板上形成锗或锗硅层，所述锗或锗硅层包括n型锗或锗硅层和p型锗或锗硅层；

形成由p型硅或硅锗层组成的导电层，所述导电层形成于所述锗或锗硅层的顶部和侧面。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述导电层包括：

形成所述导电层，以连接到邻近所述光传感器设备的另一光传感器设备的另一导电层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括：

形成第一金属电极，所述第一金属电极连接到所述光传感器设备与所述另一光传感器设备中间的所述导电层。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一基板与所述锗或锗硅层之间形成绝缘层，所述第一基板与所述锗或锗硅层通过置于所述绝缘层中的金属区域连接。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述导电层包括：

形成所述导电层，以使所述导电层具有平坦层，所述平坦层形成于所述锗或锗硅层的顶部并延伸，使得所述平坦层连接到所述另一光传感器设备的所述另一导电层。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括：

形成第二金属电极，所述第二金属电极连接到所述光传感器设备与所述另一光传感器设备中间的所述平坦层。