[发明专利]半导体装置以及电力转换装置在审
| 申请号： | 202080061875.6 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN114391184A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 古川智康;白石正树;渡边聪;三好智之;竹内悠次郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立功率半导体 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/739;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;范胜杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制由制造时的形状偏差、杂质偏差引起的IGBT单元间的电场偏差所导致的局部的电流电场集中、芯片终端部的电流集中的切断耐量高的半导体装置。其特征在于，具备：发射极电极，其经由层间绝缘膜形成于半导体基板的表面上；集电极，其形成于所述半导体基板的背面上；第一导电型的第一半导体层，其与所述集电极相接，形成于所述半导体基板的背面；第二导电型的第二半导体层，其形成于比所述第一半导体层更靠内侧处；中心区域单元，其沿着所述半导体基板的表面配置；外周区域单元，其在所述半导体基板的平面方向上，位于比所述中心区域单元更靠外侧处，配置在所述中心区域单元与芯片终端保护环区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 电力 转换 | ||
【主权项】：
暂无信息
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