[发明专利]功率半导体模块在审
| 申请号： | 202080053766.X | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN114175222A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 柳春雷;F·莫恩;D·托雷辛;E·梅诺蒂 | 申请（专利权）人： | 日立能源瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/607;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 王其文;张涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种将端子(22)连接到基板(12)以形成功率半导体模块(10)的方法，其中，端子(22)具有由第一材料形成的第一连接区域(28)，并且其中，基板(12)具有由第二材料形成的第二连接区域(30)，其中，第一材料具有第一硬度，并且其中，第二材料具有第二硬度，其中，第一硬度不同于第二硬度，其中，具有较高硬度的这种第一连接区域(28)或第二连接区域(30)形成连接配合区域，并且具有较低硬度的第一连接区域(28)或第二连接区域(30)形成连接基部区域，并且其中，通过使用超声波焊接或激光焊接将端子(22)连接到基板(12)，其特征在于,在将端子(22)连接到基板(12)之前,该方法包括提供连接层(32)的步骤，该连接层具有由硬度与连接配合区域的硬度对应的材料形成的表面子层，其中，连接层(32)设置在连接基部区域上，并且其中，表面子层面向连接配合区域。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立能源瑞士股份公司，未经日立能源瑞士股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080053766.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
