[发明专利]功率半导体模块

权利要求书

1.一种将端子(22)连接到基板(12)以形成功率半导体模块(10)的方法，其中，所述端子(22)具有由第一材料形成的第一连接区域(28)，并且其中，所述基板(12)具有由第二材料形成的第二连接区域(30)，其中，所述第一材料具有第一硬度，并且其中，所述第二材料具有第二硬度，其中，所述第一硬度不同于所述第二硬度，其中，具有较高硬度的这种第一连接区域(28)或第二连接区域(30)形成连接配合区域，并且，具有较低硬度的这种第一连接区域(28)或第二连接区域(30)形成连接基部区域，并且其中，通过使用超声波焊接或激光焊接将所述端子(22)连接到所述基板(12)，其特征在于，在将所述端子(22)连接到所述基板(12)之前，所述方法包括提供连接层(32)的步骤，所述连接层具有由硬度与所述连接配合区域的硬度对应的材料形成的表面子层，其中，所述连接层(32)设置在所述连接基部区域上，并且其中，所述表面子层面向所述连接配合区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供连接层(32)的步骤包括冷气喷涂或选择性激光熔化的步骤。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的方法，其特征在于，所述提供连接层(32)的步骤包括金属镀层的步骤。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述提供连接层(32)的步骤包括将预先形成的层接合到所述连接基部区域上的步骤。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述提供连接层(32)的步骤包括将预先形成的层烧结到所述连接基部区域上的步骤。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述端子(22)通过使用超声焊接连接到所述基板(12)。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一材料包括铜合金并且所述第二材料包括铜，或者其特征在于，所述第一材料包括铜并且所述第二材料包括铜合金。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一材料包括铝并且所述第二材料包括铜，或者其特征在于，所述第一材料包括铜并且所述第二材料包括铝。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述端子(22)是压装辅助端子(26)。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，将所述连接层(32)形成为除了所述表面子层之外还包括基部子层，其中，所述基部子层与所述连接基部区域直接相邻地放置，使得所述表面子层包括所述连接配合区域的材料并且所述基部子层包括所述连接基部区域的材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述连接层(32)从所述第一材料到所述第二材料连续地改变其成分。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其特征在于，所述连接层(32)连续设置在金属化层(16)上并且连续地设置在所述基板(12)的与所述金属化层(16)相邻的主体(14)上。