[发明专利]封装形貌辅助的自对准MRAM顶部触点在审
| 申请号： | 202080050046.8 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN114207722A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | M·瑞佐罗;N·A·兰兹罗;B·博瑞格斯;L·克莱文格 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L27/22;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于形成MRAM器件的方法，包括：在嵌入在第一电介质(102)中的互连(106)上形成MTJ(202)；在所述MTJ(202)之上沉积封装层(204)；将所述MTJ(202)掩埋在第二电介质(206)中；在所述第二电介质(206)中在所述MTJ上方图案化沟槽(302’)，从而暴露所述MTJ(202)的顶部上方的所述封装层(204)，这在所述沟槽(302’)的底部处形成形貌；在所述形貌上方在所述沟槽(302’)中形成金属线(904)；使所述金属线(904)凹陷，其将所述金属线(904)分离成由所述封装层的暴露的峰分开的区段(904a，904b)；使所述封装层(204)的暴露的峰凹陷，以在所述MTJ(202)的顶部处形成凹陷；以及在所述凹陷中形成自对准触点(1202)。还提供了一种MRAM设备。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 形貌 辅助 对准 mram 顶部 触点 | ||
【主权项】：
暂无信息
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