[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、程序及气体供给系统

摘要

控制在基板上形成的膜的膜厚分布。基板处理装置包括：处理气体喷嘴，向处理室内供给处理气体；惰性气体喷嘴，以处理气体喷嘴为中心沿周向夹着的方式分别被设置2个以上，并将惰性气体供给到处理室内；处理气体供给部，向处理气体喷嘴供给处理气体；惰性气体供给部，向各个惰性气体喷嘴供给惰性气体；以及控制部，构成为能够分别控制从处理气体供给部向处理气体喷嘴供给的处理气体的流量和从惰性气体供给部向各个惰性气体喷嘴供给的各惰性气体的流量。