[发明专利]内嵌微波批量除气腔室在审
| 申请号： | 202080044325.3 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113994461A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | R·高塔姆;A·朱普迪;高德丰;P·P·饶;V·拉马钱德兰;欧岳生;和田优一;蔡振雄;K·L·刘 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B01J19/12;H05B6/80 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供用于基板处理腔室的方法和设备。在一些实施例中，基板处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有侧壁，所述侧壁限定具有多边形形状的内部体积；设置在腔室主体的上部中的可选择性密封的细长开口以用于将一个或多个基板转移进入或离开腔室主体；设置在腔室主体的第一端处的漏斗，其中漏斗的尺寸沿着从腔室主体的外表面到内部体积的方向增大；以及设置在与漏斗相对的腔室主体的第二端处的泵端口。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 批量 气腔室 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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